[发明专利]半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202111314622.8 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN114141613A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 胡思平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制备方法，涉及半导体芯片技术领域，用于增大制备方法的应用范围，降低成本。所述半导体结构的制备方法包括：提供待刻蚀的半导体结构，待刻蚀的半导体结构具有对准标记；在待刻蚀的半导体结构上形成硬掩膜层；采用镭射工艺对硬掩膜层中至少与对准标记对应的部分进行处理，使硬掩膜层中至少与对准标记对应的部分镭射后的透光率，大于或等于预设透光率。其中，预设透光率为在从镭射后的硬掩膜层远离待刻蚀的半导体结构的一侧能够识别对准标记的情况下，硬掩膜层中镭射后的部分的最小透光率。上述半导体结构的制备方法用于实现数据的读取和写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
