[发明专利]一种衬底的清洁方法以及用于清洁衬底的系统在审
申请号: | 202111315712.9 | 申请日: | 2021-11-08 |
公开(公告)号: | CN116092915A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 李世鸿 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02;B08B7/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张竞存;张颖玲 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开实施例提供了一种衬底的清洁方法,所述方法包括:将所述衬底暴露于清洗剂,以去除位于所述衬底表面的杂质;将所述衬底暴露于液态去湿化学剂,以去除位于所述衬底的表面上的所述清洗剂;固化残留在所述衬底的表面上的所述液态去湿化学剂得到固态去湿化学剂;升华并移除所述固态去湿化学剂。通过将液态去湿化学剂固化后进行升华移除的方法,固化后的去湿化学剂可以消除气/液界面,使得表面张力接近于零,在后续升华去除的过程中消除毛细力,减少毛细力对衬底结构的破坏,达到无损清洁的效果。同时,由于消除了毛细力的影响,能够大大减少清洗剂和杂质在衬底表面的残留。 | ||
搜索关键词: | 一种 衬底 清洁 方法 以及 用于 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111315712.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造