[发明专利]一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法在审
| 申请号： | 202111315948.2 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN114334656A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张涛 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于氧化腐蚀的增强型GaN PMOS器件及制备方法，制备方法包括步骤：在衬底上依次生长成核层、GaN缓冲层、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、p型AlGaN层和p型GaN帽层；将栅区域的p型GaN帽层刻蚀掉，露出p型AlGaN层；对露出的p型AlGaN层和p型GaN帽层进行选择性氧化，使得p型AlGaN层形成氧化AlGaN层；湿法腐蚀氧化AlGaN层以露出GaN沟道层，形成栅凹槽结构；在栅凹槽结构一侧的p型GaN帽层上制备源极，另一侧的p型GaN帽层上制备漏极；在源极、漏极、p型GaN帽层和栅凹槽结构的表面制备介质层；在介质层上制备栅极。该制备方法不仅在保证刻蚀深度的同时避免了过腐蚀，而且保护沟道不受等离子体刻蚀损伤，得到较好的表面形貌，降低表面态对沟道迁移率的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 腐蚀 增强 gan pmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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