[发明专利]一种具有二配位氮空位的氮化碳材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111318973.6 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114132905A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘乐全;张琪琪;姜韶堃 | 申请（专利权）人： | 天津大学;中国船舶重工集团公司第七一八研究所 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;C01B3/04;B01J27/24;B01J37/24;B01J37/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 潘俊达 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有二配位氮空位的氮化碳材料及其制备方法和应用。该制备方法采用氯离子对氮化碳的前驱体进行修饰，经过空气煅烧得到具有氮空位的氮化碳材料。相比于现有技术，本发明将氮化碳材料的前驱体通过氯离子进行修饰，再通过空气煅烧实现了氮空位的引入，同时调控氯离子浓度得到适合的氮空位引入浓度等条件，使得载流子生成后迅速有效分离，有效抑制了氮化碳材料载流子的复合。此外，氯离子的修饰能够明显降低二配位氮空位的形成能，从而能够选择性引入二配位的氮空位。氮化碳材料经氯离子修饰引入氮空位后在光催化活性上可提高20倍以上，并具有很好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 二配位氮 空位 氮化 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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