[发明专利]一种环形坩埚、晶体横向定向生长装置和方法在审
申请号: | 202111320471.7 | 申请日: | 2021-11-09 |
公开(公告)号: | CN114086240A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 吕天龙;杨鹏远;王建冲;樊文凤 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;朱营琢 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种环形坩埚、晶体横向定向生长装置和方法。其中环形坩埚包括环形槽体和环状顶盖,环状槽体和环状顶盖可一体制成或者分体制造,所述环形坩埚的空心处和外围处分别设置有形成温度差的不同区域。本发明公开的技术方案在晶体熔体定向凝固的过程中,横向的温度梯度由环形坩埚中间空心处以及外围处的高低温度区域形成,且温度梯度的大小区域间的温差和升降温速率来控制,针对不同成分的熔体进行相关温度的调试,来促使晶体定向可控生长;进一步的,通过预熔机构等的设置可避免合金的热缩冷胀不至于将坩埚或装置损坏,且提高了晶体铸坯的成分的均匀性和整体质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 环形 坩埚 晶体 横向 定向 生长 装置 方法 | ||
【主权项】:
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