[发明专利]一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202111322836.X | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114059022B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 马飞;路文墨;王琛;李奉南 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张宇鸽 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法，该系统在现有的脉冲激光沉积系统(PLD)的真空腔体中设置等离子体放电系统，只需将现有的PLD系统中的气路不锈钢管中间部分更换为氧化铝绝缘陶瓷管，一端连接电源，另一端连接气路，即形成放电装置。该装置可以使氧等离子体负辉区重叠，电子与气体原子的碰撞次数增加，电离效果显著提高，有效提高脉冲激光沉积腔体中氧等离子体的浓度，降低ITO薄膜中氧空位的含量，改善非晶ITO薄膜晶体管阈值电压偏负的问题，一定程度上优化了器件的亚阈值摆幅和迁移率，有利于改善薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设置 空心 阴极 等离子体 pld 系统 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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