[发明专利]相变存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202111323680.7 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN113871530A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 杨红心;周凌珺;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器及其制造方法，采用选择性工艺在选通层的侧壁上形成侧壁阻挡层，能增强选通层与相邻相变存储单元之间的间隙中的线性阻挡层、间隙填充层等膜层之间的粘附性，阻挡选通层中的元素向外扩散以及阻挡外部的元素向选通层中扩散，进而改善器件性能。进一步地，当选用等离子体表面处理工艺来作为所述选择性工艺时，一方面能使得选通层中相应的元素损失和/或改变，例如使得选通层所形成的选通管的边缘材料的能带间隙Eg增大，进而使得该选通管的导电丝更靠近器件中心，有利于改善器件的工作性能一致性，另一方面能通过等离子体与间隙侧壁上的选通层的材料发生化学反应而形成所需的侧壁阻挡层，简化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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