[发明专利]一种光学邻近效应预处理方法、装置、介质及设备在审
申请号: | 202111325847.3 | 申请日: | 2021-11-10 |
公开(公告)号: | CN114167689A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 陈宪宏;曾鼎程;胡展源 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王关根 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于微电子技术领域,尤其涉及一种光学邻近效应预处理方法及与之相应的装置、介质及设备;通过对电路版图的校正,消除了潜在的断路风险;相关方法、装置等适用于局部版图紧密度高的场景,可避免高的刻蚀率引起的线端退缩,进而保证孔洞包覆率,避免断线等现象的出现。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 邻近 效应 预处理 方法 装置 介质 设备 | ||
【主权项】:
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