[发明专利]掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质

摘要

本申请提供一种掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质，涉及半导体制程技术领域。本申请在获取到存在相移材料残留物的目标相位移掩模版当前映射出的特征尺寸线宽数值后，会在检测到特征尺寸线宽数值小于合格器件线宽范围的线宽下限值的情况下，确定需要执行单次蚀刻修补作业的目标修补次数，而后重复目标修补次数地采用电子束配合蚀刻气体及缓冲气体在目标相位移掩模版的与相移材料残留物对应的目标修补区域处执行单次蚀刻修补作业，从而利用缓冲气体的缓冲特性有效控制蚀刻修补处理过程中单次蚀刻修补作业的具体修补力度，确保修补后的掩模版所映射出的特征尺寸线宽符合预期规格，并尽量降低蚀刻修补处理造成的额外损伤。