[发明专利]一种Mo-Ta-W难熔高熵合金薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111328010.4 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114015996A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 梁秀兵;张毅勇;张志彬;胡振峰;何鹏飞;王鑫 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C22C30/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张晶 |
| 地址： | 100071*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Mo‑Ta‑W难熔高熵合金薄膜及其制备方法。该难熔高熵合金薄膜由Mo、Ta和W等原子比或非等原子比组成，制备方法包括如下步骤：基片超声清洗、吹干并固定在基片台上；将高纯金属靶材Mo、Ta和W放置在三个靶位，并调节靶材相对于垂直于基片台的中心线的角度和靶材与基片台之间的垂直距离；将沉积室抽真空然后通入高纯Ar气，调节工作气压，设置靶材溅射功率，对靶材进行预溅射；然后设置基片旋转并打开基片挡板进行正式溅射，得到该三元难熔高熵合金薄膜。本发明采用多靶直流磁控溅射沉积的方法，得到了成分均匀、致密性好、硬度高的三元难熔高熵合金薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mo ta 难熔高熵 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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