[发明专利]一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法有效
| 申请号： | 202111328568.2 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114122208B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杜尚蕊 |
| 地址： | 223800 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。LED外延结构从下向上依次包括衬底、UGaN层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱发光层及P型GaN层。本发明于外延结构中增加应力缓冲层，可降低底层衍生上来的位错，提升晶格质量，并且可降低应力。而应力缓冲层中的AlGaN/AlN复合层降低底层衍生上来的位错，提升晶格质量，且高低温生长的GaN层能够有效的降低因Al导致的压应力增大问题，而良好的晶格质量为浅量子阱层InN/InGaN的结构生长提供了基础；AlGaN/AlN复合层的禁带宽度明显大于AlGaN结构，能进一步阻挡电子，提高电子利用率，从而提升发光效率；AlGaN/AlN复合层的设计，因反射率的不同，可更好地进行光的反射(类似布拉格反射DBR作用)，进而减少光在传输过程中的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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