[发明专利]一种基于背接触的叠层电池及其制备方法在审
申请号: | 202111335788.8 | 申请日: | 2021-11-12 |
公开(公告)号: | CN113782566A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 王飞;王伟;吴仕梁;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏新能源有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 陶得天 |
地址: | 214000 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于背接触的叠层电池及其制备方法,涉及太阳能电池生产技术领域。将MWT、钙钛矿和HJT电池技术结合,包括叠置的HJT底电池和钙钛矿顶电池;HJT底电池自上而下依次包括N+型掺杂的非晶硅层、第一本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、P型掺杂非晶硅层、背面TCO层以及背面栅线电极;钙钛矿顶电池自上而下依次包括正面栅线电极以及正面TCO层、顶电极缓冲层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层。本发明将MWT、钙钛矿和HJT电池技术结合,充分发挥钙钛矿HJT叠层电池能将吸收光谱拓展得更宽的优势,从而打破单结电池的效率限制。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 接触 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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