[发明专利]一种多负载低泄露磁场的无线充电系统及其参数设计方法有效
| 申请号： | 202111336754.0 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113964958B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李砚玲;谢开汶;应杨江 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H02J50/40 | 分类号： | H02J50/40;H02J50/70;H02J50/10;H02J7/00 |
| 代理公司： | 重庆敏创专利代理事务所(普通合伙) 50253 | 代理人： | 陈千 |
| 地址： | 610031*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及无线充电技术领域，具体公开了一种多负载低泄露磁场的无线充电系统及其参数设计方法，该系统设有发射机构，该发射机构采用特定的排列方式，在应用时每相邻两个发射线圈之间可放入一个接收线圈，接收线圈之间相互解耦，可实现同时为多个负载供电，并且通过合理设计发射线圈的个数和匝数，可在输出功率不变的情况下，在不增加新的抑制材料的情况下，使对外泄露磁场保持在一个较低的水平。该参数设计方法以无线充电系统的工作特性和实际工作状态作为约束条件，以实现对外泄漏磁场水平最低为目标，采用有限元仿真、控制变量法等方法，结合实际的应用场景和发射机构的重量和成本等实际需求，得出最优发射线圈的个数和匝数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负载 泄露 磁场 无线 充电 系统 及其 参数 设计 方法 | ||
【主权项】：
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