[发明专利]封装腔体的成型方法以及半导体封装方法在审

专利信息
申请号: 202111340849.X 申请日: 2021-11-12
公开(公告)号: CN116130368A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 顾骁;臧晓园;雷大勇;蒋悦虹 申请(专利权)人: 江苏长电科技股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 孙凤
地址: 214430 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种封装腔体的成型方法以及半导体封装方法,封装腔体的成型方法包括如下步骤:于封装基板上位于每一封装单元的周侧的分隔区一体形成支撑体,所述封装基板以及所述支撑体共同形成若干个用以贴装元器件的封装腔体;相较于现有的先单个点胶再一个一个地贴装具有凹腔的盖子,提高整体的封装效率;同时,在后续半导体封装时,只需要在支撑体上贴装平板状的盖体密封所述封装腔体即可,进一步提高了整体的封装效率,且降低了成本。
搜索关键词: 装腔 成型 方法 以及 半导体 封装
【主权项】:
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