[发明专利]3D SONOS存储器结构及工艺方法在审
| 申请号： | 202111344835.5 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114188340A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王宁;张可钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种所述的3D SONOS存储器的存储单元中包含选择管和存储管，其中每两个存储单元的选择管共用一个源区，所述的存储单元中的选择管的选择管栅极为沟槽型，深入到半导体衬底中，沟槽型的选择管栅极，其沟槽的深度决定选择管沟道的长度；所述选择管栅极同时还高于半导体衬底表面；存储管栅极位于选择管高于半导体衬底的选择管栅极两侧，作为两个相邻的存储单元的存储管栅极；所述的沟槽型的选择栅的沟槽底部为选择管的源区，作为两个相邻的存储单元的选择管共用的源区；在所述存储管栅极两外侧的衬底中，分别具有所述两个相邻的存储单元的各自存储管的漏区。本发明还公开了所述3D SONOS存储器的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储器 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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