[发明专利]一种横向绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202111344944.7 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN113793804B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘森;刘筱伟;刘盛富;李建平;史林森 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/735 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种横向绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法，该晶体管结构包括基底、栅介质层、栅导电层、阴极电极层及阳极电极层，其中，基底包括Y方向上依次堆叠的第一半导体层、第一绝缘层、第二半导体层，所述第二半导体层包括在X方向上间隔设置的P型阱区、N型缓冲区及N型漂移区，P型阱区中设有第一P型埋层、位于第一P型埋层上的阴极接触区，N型缓冲区设有具有缺口的第二P型埋层、位于第二P型埋层上的间隔设置的阳极接触区。本发明通过于将阳极接触区间隙中连通的N型缓冲区的上表面设置阳极短路控制栅结构以控制器件进入正常工作状态时的阳极转折电压，且其制备工艺与SOI CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 绝缘 双极晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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