[发明专利]一种前驱体钛掺杂高电压钴酸锂的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202111345336.8 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114074957A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 徐士民;李磊;吕菲;徐宁;吴孟涛 | 申请（专利权）人： | 天津巴莫科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300348 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种前驱体钛掺杂高电压钴酸锂的制备方法，包括如下步骤：（1）制备表面修饰氨基石墨烯；（2）制备钛掺杂钴酸锂前驱体晶种；（3）制备表面修饰单层膜钛掺杂钴酸锂前驱体晶种；（4）制备掺杂钴酸锂前驱体；（5）制备高电压钴酸锂；（6）制备表面修饰自组装金属‑有机框架化合物单层膜包覆高电压钴酸锂；（7）制备氧化物包覆高电压钴酸锂；（8）制备氮化钛和氧化物包覆高电压钴酸锂。本发明所述的前驱体钛掺杂高电压钴酸锂的具有高容量和循环性能好的特点，适合产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 前驱 掺杂 电压 钴酸锂 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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