[发明专利]用于光子管芯中的无源对准的硅凹槽架构和制造工艺在审
| 申请号： | 202111346071.3 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114660738A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | O·卡尔哈德;李晓倩;N·德什潘德;S·沙兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;H01L21/762 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种凹槽对准结构包括蚀刻停止材料和蚀刻停止材料之上的基板。一组凹槽沿第一方向处于基板的顶表面中，并且粘合材料处于一组凹槽的底部中。光纤处于一组凹槽中、在粘合材料之上，并且光纤的一部分在基板上方延伸。一组聚合物引导件沿第一方向处于基板的顶表面上，与所述一组凹槽交错。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光子 管芯 中的 无源 对准 凹槽 架构 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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