[发明专利]碳化硅晶圆体寿命图像生成方法、系统及存储介质在审

专利信息
申请号: 202111347397.8 申请日: 2021-11-15
公开(公告)号: CN114062371A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 宋立辉;皮孝东;杨德仁;茆威威 申请(专利权)人: 浙江大学杭州国际科创中心
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/95;G06F17/11;G06F17/16;G06T11/00
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 姚宇吉
地址: 310000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种碳化硅晶圆体寿命生成方法、系统及存储介质,涉及碳化硅的技术领域,利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像,再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程,通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆体寿命与PL信号强度的函数关系,再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的体寿命图像。本发明通过光致发光成像仪器,相比微波成像的方法速度更快,同时可直接获得碳化硅晶圆的体寿命图像,而不是等效少数载流子寿命图像,表征结果更精确。
搜索关键词: 碳化硅 晶圆体 寿命 图像 生成 方法 系统 存储 介质
【主权项】:
暂无信息
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