[发明专利]芯片堆叠结构的连接方法有效
| 申请号： | 202111351802.3 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN113793811B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘天建;田应超;曹瑞霞;谢冬 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/065 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法，包括：提供一基板；将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上，相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙，每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片，每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊盘的介质层，所述间隙暴露所述焊盘的侧面；去除所述间隙侧面的部分衬底和部分介质层，使所述焊盘局部突出于所述介质层；在所述芯片堆叠结构和所述基板表面形成连接材料层，去除所述芯片堆叠结构和所述基板表面的连接材料层，形成连接层，相邻的所述焊盘通过所述连接层连接；以及，填充所述间隙，以使至少两个芯片堆叠结构连接在一起。解了决芯片面积越大，良率越低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 堆叠 结构 连接 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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