[发明专利]一种高折射率对比DBR的倒装VCSEL结构及其工艺方法在审

专利信息
申请号: 202111357669.2 申请日: 2021-11-16
公开(公告)号: CN114188816A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 方照诒 申请(专利权)人: 深圳市德明利光电有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/183
代理公司: 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 代理人: 何兵
地址: 518000 广东省深圳市福田区福*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种高折射率对比DBR的倒装VCSEL结构及其工艺方法,以欧姆金属取代了部分Al2O3,散热衬底、AlGaAs/欧姆金属所形成的高导热、低电阻导通路径,使得光学路径和电学路径分离。Al2O3/AlyGa1‑yAs DBR形成的堆叠结构可以减少DBR层对数,改变了以最高Al组分作为电流孔径限制层的做法,使得电学性能和光学性能得到显著提高,提高了转换效率及总输出功率。
搜索关键词: 一种 折射率 对比 dbr 倒装 vcsel 结构 及其 工艺 方法
【主权项】:
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