[发明专利]一种高效的III-V族/硅两端叠层太阳电池

摘要

一种高效的III‑V族/硅两端叠层太阳电池，采用前表面绒面的晶硅电池为底电池，通过透明导电粘合剂与平面III‑V顶电池构成两端的叠层结构。本发明专利开发了一种基于透明导电粘合剂键合的III‑V族与晶硅的叠层电池技术，采用绒面晶硅电池作为底电池，增加了底电池的长波吸收，解决了晶硅底电池与商业绒面晶硅电池工艺不兼容的难题。即利用含有大粒径导电颗粒的透明导电粘合剂，实现平面的III‑V族顶电池与前表面绒面的晶硅底电池的桥接。且该粘合剂透过率高，纵向导电率高，可以在获得高效叠层电池的同时，为后续III‑V族与晶硅两端叠层电池的商业化应用打开了新空间。