[发明专利]一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法在审
| 申请号： | 202111362432.3 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114171081A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 黄芊芊;王凯枫;符芷源;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C8/08;G11C7/12;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法，属于半导体存储器技术领域。本发明存储器结构包括一个用于存储信息的铁电存储单元和一个连接存储单元的隧穿场效应晶体管，隧穿场效应晶体管用于对所述的铁电存储单元进行控制，进行写操作和读操作。多个所述存储器结构组成半导体存储器阵列，其控制方法包括写0、写1、读取和重写步骤。本发明利用隧穿场效应晶体管单向导通特性和极低漏电流特性，可以降低存储器阵列的操作电压和功耗、提升存储器集成密度，适用于半导体存储器芯片的制造，且其控制方法和电路也较为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 半导体 随机存取存储器 结构 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111362432.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
