[发明专利]碲镉汞焦平面探测器的无效像元检测方法及装置在审
| 申请号： | 202111363043.2 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114141647A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘世光;张轶;李娟;孙浩;宁提 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞焦平面探测器的无效像元检测方法及装置。碲镉汞焦平面探测器的无效像元检测方法，包括：计算像元的周围响应电压，周围响应电压为像元的所有邻近像元的响应电压的平均值；判断周围响应电压与预设次级盲元筛选系数的乘积是否大于像元的响应电压，若是，则判定像元为无效像元。采用本发明，可以检测出那些信号电平值比周边相邻的像元略低、多以孤立的点出现、少有相连的无效像元，解决这类无效像元对于要求较高的目标探测应用，尤其是点目标的探测应用中造成的困扰，满足对点目标探测以及虚警率要求高的光电系统的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 碲镉汞焦 平面 探测器 无效 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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