[发明专利]量子点中红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种量子点中红外光电探测器及其制备方法。该制备方法包括：在硅/二氧化硅衬底上生长氧化铟镓锌导电沟道层；在所述氧化铟镓锌导电沟道层的表面制备源电极和漏电极；对所述氧化铟镓锌导电沟道层进行图形化；利用热注入法制备单晶碲化锡胶体量子点；将所述单晶碲化锡胶体量子点旋涂至图形化后的氧化铟镓锌导电沟道层的表面，得到初始器件；对所述初始器件进行退火，获得量子点中红外光电探测器。通过上述方法制备的量子点中红外光电探测器可解决中红外量子点材料的无毒性难题和拓宽量子点探测器的响应波段的问题。