[发明专利]能抑制开关震荡的功率半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111369712.7 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114093930B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨飞;吴凯;张广银;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能抑制开关震荡的功率半导体器件及其制备方法。其在元胞内设置至少一个调整控制第一沟槽，以利用调整控制第一沟槽作为元胞内的dummy trench。在调整控制第一沟槽内，调整控制第一沟槽下导电多晶硅与半导体衬底上方的源极金属电连接，因此，能降低调整控制第一沟槽中调整控制第一沟槽上导电多晶硅与半导体衬底上方的栅极金属电连接时与背面电极结构间的耦合电容，并且通过控制和栅极金属极连接调整控制第一沟槽的数量，可以很好的调整输入电容Ciss，而不会额外的影响反馈电容Crss，从而可以调整输入电容Ciss和反馈电容Crss的比例，优化功率半导体器件的开关震荡特性，提高器件工作的可靠性，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 开关 震荡 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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