[发明专利]零场镝单离子磁体及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111371426.4 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114031634A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;程志杰;景蓉;谭鹏飞;蔡星伟;袁爱华 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | C07F5/00 | 分类号： | C07F5/00;C07C201/12;C07C201/16;C07C205/26;H01F1/42;G11C11/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 余俊杰 |
| 地址： | 212100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了零场镝单离子磁体及其制备方法和应用，所述镝单离子磁体的化学式为：[Dy(EO5)(OPhCl |
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| 搜索关键词： | 零场镝单 离子 磁体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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