[发明专利]半导体器件及半导体芯片在审
| 申请号： | 202111372025.0 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114068512A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 魏丹清;陈飞 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/48;H01L23/522;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及半导体芯片，半导体器件包括：SPAD晶圆，每个SPAD芯片上形成有SPAD阵列；TDC晶圆，每个TDC芯片上形成有TDC阵列；逻辑晶圆，每个逻辑芯片上形成有逻辑外围电路；SPAD晶圆、TDC晶圆和逻辑晶圆依次键合。本发明将TDC阵列与逻辑外围电路分别设计在TDC晶圆和逻辑晶圆上，SPAD阵列与TDC阵列对应键合，用多层晶圆堆叠技术将三片晶圆键合成一体半导体器件。可大幅提高集成度，避免现有技术中SPAD晶圆的空旷区域的浪费，从而减少了晶圆的面积浪费。半导体器件的集成度提高后，在同等尺寸条件下，SPAD阵列的填充因子得到增加，对应半导体器件的光子探测效率提高，提升了单光子探测器探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
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