[发明专利]金刚石氮-空位色心阵列传感器在审
| 申请号： | 202111373155.6 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114166803A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 汤琨;赵耕右;朱顺明;叶建东;顾书林 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63 |
| 代理公司： | 合肥昕华汇联专利代理事务所(普通合伙) 34176 | 代理人： | 崔雅丽 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了金刚石氮‑空位色心阵列传感器，涉及一种金刚石半导体传感器，包括传感器、金刚石衬底、金刚石外延层、NV色心层、纳米柱阵列结构和纳米柱阵列天线，所述传感器底端具有金刚石衬底，在所述金刚石衬底正面上有一层金刚石外延层，所述金刚石外延层是n型半导体，所述金刚石外延层表面存在采用原位MPCVD生长方式得到NV色心层，所述传感器NV色心层中NV色心的取向得到了择优取向，其中NV色心层具有10nm和50nm之间的厚度，所述金刚石外延层即传感接触层结构为纳米柱阵列结构，述传感接触层纳米柱包括金刚石纳米柱、介质层和金属层，所述介质层淀积在金刚石纳米柱表面，所述金属层淀积在介质层表面。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 空位 色心 阵列 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111373155.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
