[发明专利]一种含钍铱合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 202111373867.8 申请日: 2021-11-19
公开(公告)号: CN114058887B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 王宁;韩军;向清沛;姜涛;吴奉承;刘毅;张健康;向永春;郝樊华 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C5/04
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心 51210 代理人: 任正平
地址: 621999*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种含钍铱合金的制备方法,包括步骤:(1)采用高纯铱粉为原料,在冷等静压机上进行压制,获得压制铱块;(2)将铱块依次放入氢气预烧结炉和真空高温烧结炉进行烧结,获得烧结铱块;(3)烧结所得铱块转移至电弧熔炼炉中与钨钍合金进行熔炼,获得含钍铱合金;(4)清洗铱合金锭,转移至电子束熔炉中进行熔炼,浇注得掺钍铱钨合金铸锭。本发明在电弧熔炼过程中通过钨钍电极同时引入钨、钍掺杂元素,可以简化现有含钍铱合金的制备工艺,同时最大程度地保证掺杂元素的均匀性。通过调整钨钍电极中钍的含量,可以实现铱合金中钍含量的调控。同时所制得合金具有晶粒尺寸小、性能优良的特点,满足238Pu同位素电源对包壳材料的需求。
搜索关键词: 一种 含钍铱 合金 制备 方法
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