[发明专利]一种基于腔QED系统的双向多通道全光开关及控制方法在审
申请号: | 202111374887.7 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN114114552A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 王立勇 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | G02B6/35 | 分类号: | G02B6/35 |
代理公司: | 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 37247 | 代理人: | 刘娜 |
地址: | 430081 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于腔QED系统的双向多通道全光开关及控制方法,该全光开关包括透明的真空腔室和位于其内部的左腔镜和右腔镜,左腔镜和右腔镜水平对称设置,真空腔室外部左侧设置入射激光器和反射信号探测器,真空腔室外部右侧设置透射信号探测器;所述真空腔室内设置铷释放剂,真空腔室外设置磁光阱装置,在磁光阱装置的作用下,铷释放剂释放的铷‑85冷原子汇聚在由左腔镜和右腔镜形成的共焦腔的中心位置处,形成铷‑85冷原子团;所述真空腔室外部垂直于铷‑85冷原子团位置设置控制激光器。本发明所公开的全光开关可实现原子多能级激发的无相互作用、宽带、双向可用、多通道的目的,并且该全光开关结构简单、便于使用和易于调节。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 qed 系统 双向 通道 开关 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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