[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202111385011.2 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114566536A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吉田拓弥;铃木健司;原口友树 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L27/06;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供改善能量损耗的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、二极管沟槽栅极及电极层。第1半导体层是作为半导体基板的上表面侧的表层而设置的。第2半导体层设置于第1半导体层的下方。二极管沟槽栅极的二极管沟槽绝缘膜是沿沟槽的内壁中的位于上部侧壁的下方的下部侧壁和底部形成的，该上部侧壁位于沟槽的上端侧。二极管沟槽栅极的二极管沟槽电极设置于沟槽内部。电极层将沟槽的上部侧壁覆盖。第1半导体层在沟槽的上部侧壁处与电极层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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