[发明专利]一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法在审
| 申请号： | 202111394712.2 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN113993288A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 韩少华;陆文;王健 | 申请（专利权）人： | 上达电子（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 张帅 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安区沙井街道黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法，属于线路蚀刻技术领域。包括步骤：在基材的铜层上贴覆干膜；利用半显影工艺对干膜进行减薄；对贴覆的干膜进行曝光、显影、蚀刻、剥膜处理，完成精细线路的形成。所述的半显影工艺处理的干膜为正性干膜的情况下，通过整板显影，对干膜进行减薄。本发明的有益效果是：半显影干膜法提升了干膜解析度，生产产品线路更精细，提升产品竞争力；干膜价格便宜，降低产品生产成本；半显影干膜法使用干膜贴覆工艺，相较涂布光刻胶工艺设备简单，价格低廉，生产难度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显影 干膜法 实现 精细 线路 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
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