[发明专利]一种正交相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202111395622.5 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114108087B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 马啸尘 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正交相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法，以乙醇钽作为金属有机化合物源材料，氧气作为氧化气体，采用金属有机物化学气相沉积设备在真空条件下在蓝宝石衬底氮化镓外延单晶片上生长正交相五氧化二钽单晶薄膜。本发明所制备的正交相五氧化二钽单晶薄膜材料晶格排列有序，附着性好、稳定性高，在半导体光电器件领域应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交相 氧化 二钽单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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