[发明专利]半导体的制作方法在审
| 申请号： | 202111397145.6 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114093763A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 谢岩;刘选军 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，第三介质层具有初始开口；形成第一沉积层，第一沉积层至少覆盖初始开口的侧壁表面；刻蚀第一开口正下方的第二介质层，至暴露出第二介质层的侧壁；形成第二沉积层，第二沉积层至少覆盖第一开口的侧壁和暴露出的第二介质层的侧壁；刻蚀第二开口正下方的第一介质层至暴露出衬底；刻蚀衬底，形成沟槽。本发明将沉积与刻蚀工艺分离，形成第一沉积层，以缩小待刻蚀的第二介质层的宽度；形成第二沉积层，以缩小待刻蚀的第一介质层的宽度，逐层传递以缩小最终形成的沟槽的关键尺寸；以较低成本形成小尺寸的深沟槽隔离(DTI)，提升了成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111397145.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
