[发明专利]一种碳化硅基石墨烯材料的HEMT芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111399628.X | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114203804A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王晓波;王楠;黄永;毛宏颖;吴旗召;商毅博 | 申请（专利权）人： | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/47;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅基石墨烯材料的HEMT芯片及其制备方法，该芯片包括：基底、石墨烯层、离子注入区、S/D电极区和G电极；石墨烯层位于所述基底上方，且与所述基底连接；离子注入区位于所述基底内部中心位置，且向上贯穿至所述石墨烯层上表面；S/D电极区位于所述石墨烯层上方且与所述石墨烯层连接；G电极位于所述离子注入区上方，且与所述离子注入区连接。本发明采用石墨烯材料作为导电通道代替传统的异质界面2DEG,实现超高速的电子迁移和导电速率，采用金属半导体接触的肖特基势垒作为栅电源控制整个晶体管的开关，采用SiC作为基底材料，通过半导体工艺现实不同材料的生长集成，构成全新的具有优良特性的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 基石 材料 hemt 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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