[发明专利]一种高介电强度间位芳纶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202111401894.1 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113929942B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 江明;刘萍;孙静;王玉阳;郭丽丽;郭晓彤;叶小雯 | 申请（专利权）人： | 烟台民士达特种纸业股份有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L77/10;C08G69/32 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张宇鸽 |
| 地址： | 264006 山东省烟*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于高性能膜材料领域，具体公开了一种高介电强度间位芳纶薄膜的制备方法，包括以下步骤：聚合液的制备和间位芳纶薄膜的制备；这种间位芳纶薄膜的厚度为5‑200um，介电强度可达30～50kV/mm，呈透明状、结构致密、膜中无气泡或微孔。本发明通过控制间位芳纶薄膜的制备工艺参数，克服了间位芳纶自身结晶行为、粘度和溶剂的限制，解决了间位芳纶薄膜成型困难、工艺复杂、易破损、易卷曲变形的问题，本发明提供的间位芳纶薄膜的制备方法具有设备简单、工艺温和、操作便捷、厚度均匀可控等特点，有效提高了间位芳纶薄膜制备技术的成熟度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电强度 间位 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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