[发明专利]一种将SIG和SMG两种超导块材生长法结合实现批量化生产的方法在审

专利信息
申请号: 202111402223.7 申请日: 2021-11-19
公开(公告)号: CN114214729A 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 杨万民;崔艳兰 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B11/14;C30B33/02;H01B12/00
代理公司: 西安赛嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 61275 代理人: 王伟超
地址: 710119 陕西省西安市长*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明将籽晶诱导的熔渗生长SIG和熔融生长法SMG两种块材生长方法结合来实现批量化生产的方法,包括如下步骤:步骤一、准备籽晶;步骤二、SIG制备先驱块:制备支撑块、SIG固相先驱块、SIG液相先驱块、SIG新液相先驱块;步骤三、SMG制备先驱块;步骤四、准备单晶块、垫片;步骤五、装配步骤二和步骤三制备的先驱块;步骤六:在晶体生长炉生长单畴钇钡铜氧块材;步骤七:渗氧处理。该方法既能实现同批次多个块材生长,又能提高籽晶利用率,同时又能极易实现单畴YBCO超导块材的生长;不仅提高了批量化的效率,也提高了籽晶的利用率,生长好的两个单畴YBCO超导块材也能很好的分离。
搜索关键词: 一种 sig smg 超导 生长 结合 实现 批量 化生 方法
【主权项】:
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