[发明专利]一种沟槽二极管势垒层制备方法在审
| 申请号： | 202111402557.4 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114122109A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 潘东辉;陆阳;张龙;李怀辉;赵国权 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L21/324 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 罗超;黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体制造技术领域内的一种沟槽二极管势垒层制备方法，包括以下步骤：S1：在硅衬底表面溅射金属；S2：经快速退火炉退火横向形成势垒层；S3：经合金炉退火纵向形成势垒层；S4：去除硅衬底表面金属，完成势垒层制备。该势垒层制备方法可以解决势垒层边缘偏薄的问题，降低沟槽二极管漏电参数，提高产品稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 二极管 势垒层 制备 方法 | ||
【主权项】：
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