[发明专利]一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOSFET结构在审
| 申请号： | 202111402859.1 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114203821A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 周新田;张仕达;贾云鹏;胡冬青;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属层、N+漏区、N‑漂移区；电流扩展层CSL位于所述N‑漂移区的上表面；P‑base区位于所述电流扩展层CSL的上表面；P‑plus区，N‑source区均位于所述P‑base区的上表面，并相互并排；P‑shielding区位于所述N‑漂移区的上表面，栅氧位于所述左侧P‑shielding区的上表面，多晶硅源位于所述右侧P‑shielding区的上表面，多晶硅栅位于所述栅氧的上表面；隔离氧位于所述N‑source区、多晶硅栅的上表面；源极金属区位于所述P‑plus区、部分N‑source区以及多晶硅源的上表面。本发明具有开关速度快、功率损耗低、反向恢复特性好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内置 异质结 二极管 sic 沟槽 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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