[发明专利]室温碲化铂阵列太赫兹探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202111403852.1 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN113823703B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张凯;董卓;于文治 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/113;H01L31/18;G01J1/42 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种室温碲化铂阵列太赫兹探测器及其制备方法，所述探测器包括衬底、位于衬底上的氧化层、位于氧化层上且阵列分布的碲化铂沟道层、及位于氧化层及部分碲化铂沟道层上且阵列分布的电极层，所述太赫兹探测器基于碲化铂的II型狄拉克半金属特性实现对太赫兹波的有效探测。本发明的太赫兹探测器利用碲化铂的优异物理性质，可实现室温下对太赫兹波的高速、高灵敏度探测。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 碲化铂 阵列 赫兹 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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