[发明专利]超结梯形槽碳化硅MOSFET器件及制作方法有效
| 申请号： | 202111406359.5 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114242769B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L21/04;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 孙中勤 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种超结梯形槽碳化硅MOSFET器件及制作方法，制作方法包括以下步骤：提供碳化硅衬底；形成碳化硅外延层在碳化硅衬底上，碳化硅外延层从下往上包括外延主体层、沟道体层和源极导接层，外延主体层内形成有多个体层延伸柱；在碳化硅外延层的上表面开设多个栅极沟槽；在栅极沟槽的轮廓表面与碳化硅外延层的上表面形成重定义沟道层；以固定倾斜角的斜角注入方式向栅极沟槽的同一侧壁注入离子形成反极性导接段，且反极性导接段的上表面高于沟道体层的上表面；设置栅极结构在栅极沟槽内；在碳化硅外延层的上表面注入离子形成分流结。本申请可以调整在栅极结构的电场作用下所形成的导电沟道的长度，使得源漏极之间具有更低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 梯形 碳化硅 mosfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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