[发明专利]一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法及深紫外激光器在审
| 申请号： | 202111409834.4 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114108082A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 单茂诚;张毅;张会雪;赵永明;陈长清;李晓航 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/16;C30B29/40;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 田灵菲 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法，所述方法包括步骤：准备MOCVD反应室及蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上沉积第一厚度的AIN缓冲层；在所述AIN缓冲层上生长第二厚度的AIN模板；在所述AIN模板上形成预设周期的量子阱结构；在所述量子阱结构上生长第三厚度的AIN帽层；从所述蓝宝石衬底的背面抛光减薄至预设厚度；在所述蓝宝石衬底上形成隐形凹槽；沿所述隐形凹槽方向在所述蓝宝石衬底上形成光泵浦激光条。本申请提供的一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法及深紫外激光器将多周期超薄GaN量子阱作为深紫外激光器的增益区，该量子阱具有较高的辐射发光效率，同时具备横电(TE)模式的偏振特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 gan 量子 深紫 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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