[发明专利]一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111412421.1 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114122250A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 郑姗姗;李真宇;刘亚明;孔霞 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/253 | 分类号： | H01L41/253;H01L41/312;H01L41/337;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括：通过离子注入法向第一晶圆注入离子，将第一晶圆与衬底基板键合，得到键合体；对键合体热处理，得到单晶压电复合薄膜；在单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸，得到预制备体；将预制备体掩埋于黑化粉末中；在还原炉内，对掩埋于黑化粉末中的单晶压电复合薄膜黑化还原热处理；去除第二晶圆或还原纸，得到黑化单晶压电复合薄膜。本申请通过对经过热处理后的单晶压电复合薄膜，再进行黑化还原热处理，这样，可以保证最终制备得到的黑化单晶压电复合薄膜中黑化的薄膜层具有较低的热释电系数和电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黑化单晶 压电 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南晶正电子科技有限公司，未经济南晶正电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111412421.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有多样识别能力的考勤一体机
- 下一篇：一种砌体外墙塞缝的工具及施工方法
