[发明专利]一种晶圆背面金属化前清洗的方法在审
| 申请号： | 202111413073.X | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114121610A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;萧维彬 | 申请（专利权）人： | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08;B08B11/00 |
| 代理公司： | 北京七夏专利代理事务所(普通合伙) 11632 | 代理人： | 刘毓珍 |
| 地址： | 239200 安徽省滁*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体制作技术领域，具体涉及一种晶圆背面金属化前清洗的方法；本发明明确制定HF与纯水混合比例有效管控化学液使用量；制定工艺标准流程,有效提升生产管理；制定机台设备操作规范,降低人员操作错误造成人员受伤；设备损坏；产品异常的情况出现；本方案可控管化学液配置时机和成本,优化晶圆生产品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 金属化 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
