[发明专利]一种Y-Gd基合金及包括该基合金的钕铈铁硼磁体与制备方法有效

专利信息
申请号: 202111414067.6 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN114196864B 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 崔熙贵;舒刚易;崔承云;张洁;梁文接;赵志航;黄欣;葛鑫 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: C22C30/02 分类号: C22C30/02;C22C28/00;B22F9/04;C22C1/02;H01F41/02;H01F1/057;B22F3/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种Y‑Gd基合金及包括该基合金的钕铈铁硼磁体与制备方法,所述Y‑Gd基合金组分的原子百分比含量为:钇(Y)5‑30%,铜(Cu)5‑25%,铝(Al)5‑25%,其余为钆(Gd)和不可避免的杂质。本发明利用新型的低成本Y‑Gd基合金晶界改性技术制备钕铈铁硼磁体,能够有效改善钕铈铁硼磁体中晶界富稀土相的分布,调控主相成分,制备出高矫顽力热稳定的钕铈铁硼磁体。本发明充分利用了积压稀土元素,有效平衡了稀土资源利用,制得的钕铈铁硼磁体矫顽力高,热稳定性好,成本低,而且工艺简单、易操作,适于大规模批量化生产。因此,通过本发明可以制备高矫顽力热稳定的低成本钕铈铁硼磁体。
搜索关键词: 一种 gd 合金 包括 钕铈铁硼 磁体 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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