[发明专利]一种自生成脊型波导的激光器制作方法在审

专利信息
申请号: 202111415222.6 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN114400503A 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 李鸿建;郭娟 申请(专利权)人: 武汉云岭光电有限公司
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 徐俊伟
地址: 430223 湖北省武汉市东湖新技*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种自生成脊型波导的激光器制作方法,包括如下步骤:S1,生长外延结构,并于外延结构的正上方覆盖掩膜层;S2,刻蚀部分掩膜层至露出外延结构;S3,于掩膜层上生长第一InP层,外延结构上无掩膜层遮挡的区域的第一InP层的生长速率快;S4,在第一InP层上生长接触层;S5,去掉掩膜层,进行电极制作,并进行减薄、解理、测试,以完成制作。本发明利用宽的介质掩膜,进行小面积外延生长,使得无掩膜区域InP盖层的材料生长速率快,缩短了外延生长时间,节省了时间和物料成本;选择区域生长InP盖层和接触层,自生成脊型波导,省去了脊型波导和接触条的制作,简化了激光器的工艺流程,而且该选择区域外延生长方法,重复性好,易于实现产业化量产。
搜索关键词: 一种 生成 波导 激光器 制作方法
【主权项】:
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