[发明专利]基于亚微米铌酸锂薄膜的高速偏振调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111417360.8 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN116165812A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;王喜娜;郑名扬;郑远林;仇晶;谢秀平;陈险峰 | 申请（专利权）人： | 济南量子技术研究院 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京云嘉湃富知识产权代理有限公司 11678 | 代理人： | 程凌军 |
| 地址： | 250101 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于亚微米铌酸锂薄膜和GSG电极结构实现的新型偏振调制器结构及制备方法，其中，通过套刻、电镀和腐蚀工艺的有机结合实现了GSG电极在亚微米级脊型波导两侧的精确定义，使得在微小尺寸下采用GSG电极结构以及获得高的调制带宽成为可能。此外，还基于这种基本结构提供了一种优化的结构参数设计方案，实现脊型波导与调制电极、光信号与调制信号之间的良好匹配，最终在偏振调制器上实现低的半波电压、高的调制带宽，同时使偏振调制器的尺寸得以进一步小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微米 铌酸锂 薄膜 高速 偏振 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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