[发明专利]一种用于制备单晶金刚石微通孔的装置及方法在审

专利信息
申请号: 202111417530.2 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN113957409A 公开(公告)日: 2022-01-21
发明(设计)人: 王艳丰 申请(专利权)人: 西安德盟特半导体科技有限公司
主分类号: C23C16/06 分类号: C23C16/06;C23C16/04;C23C16/511;C23C16/56;C23F1/02;C23F1/08
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 张宇鸽
地址: 710065 陕西省西安市高新区高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种用于制备单晶金刚石微通孔的装置及方法,所述装置包括:图形化金属薄膜制备装置,用于在待制备微通孔的单晶金刚石衬底的上、下表面制备图形化金属薄膜;氢等离子体发生装置,用于发生氢等离子体;所述氢等离子体用于包裹所述待制备微通孔的单晶金刚石衬底以及其上、下表面制备的图形化金属薄膜,并对图形化金属薄膜下方的单晶金刚石衬底刻蚀;去除装置,用于在上、下表面的图形化金属薄膜在单晶金刚石衬底内部相遇后,去除单晶金刚石衬底的上、下表面的图形化金属薄膜。本发明可以大幅度提升刻蚀金刚石的速率,缩短刻蚀时间。
搜索关键词: 一种 用于 制备 金刚石 微通孔 装置 方法
【主权项】:
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