[发明专利]局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202111417865.4 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113838796B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张森;杨紫琪;高沛雄 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法。在局部氧化物层的制备方法中，利用第一开口和第二开口定义出需形成局部氧化物层的区域，并使第二开口内具有氮氧化物层以控制氧扩散的速率，避免了大量的氧经由第二开口横向扩散至鸟嘴区域，同时第一开口至第二开口之间的距离形成了氧横向扩散的缓冲区域，大大降低了氧经由第一开口横向扩散至鸟嘴区域的含量，使得最终所形成的鸟嘴的尺寸得以缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 氧化物 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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